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Nanodrahttransistoren sind schneller als Siliziumtransistoren

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20/06: Nanodrahttransistoren sind schneller als Siliziumtransistoren

Forscher der Harvard University haben gezeigt, dass Transistoren mit Nanodrähten mindestens viermal schneller sein können als herkömmliche Siliziumbauelemente. Laut dem leitenden Forscher und Chemieprofessor Charles Lieber könnte dies zu billigen, leistungsstarken und flexiblen elektronischen Schaltkreisen für Anzeigegeräte und Mobiltelefone führen. Es könnte auch Platz sparen und die Geschwindigkeit weiter erhöhen, indem Speicher, Logik und Erkennungsschicht auf demselben Chip zusammengesetzt werden.

Nanodrähte gelten aufgrund ihrer extrem geringen Größe (etwa 10 Nanometer breit) und weil sie ohne komplexe Lithographie hergestellt werden können, als vielversprechender Anwärter für die Verwendung in zukünftigen Logikchips, sagt Peidong Yang, Professor für Chemie an der Universität von Kalifornien, Berkeley. Bisher lag die Leistung von Transistoren auf Nanodrahtbasis weit unter denen anderer Nanogeräte wie Kohlenstoffnanoröhren und sogar herkömmlicher Bauelemente. Neue Untersuchungen von Harvard legen jedoch nahe, dass Nanodrähte herkömmliche Transistoren übertroffen haben und dies auch sind Sie entsprechen in etwa denen von Nanoröhren.

Quelle: technologyreview.com

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